论文部分内容阅读
综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积（PLD）技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响，ZnO薄膜的厚度在超过400nm时，呈现出了近似块状的性质．采用PLD技术，可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜。
脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展
【摘 要】
：
综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积（PLD）技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响，ZnO薄膜的厚度在超过400nm时，呈现出了近似块状的性质．采用PLD技术，可以在适当的条件
【机 构】
：
山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所
【出 处】
：
电子元件与材料
【发表日期】
：
2006年5期
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目（No.90301002.90201025）
其他文献
中科院福建物构所王国富研究员主持的“新型红外波段非线性光学晶体材料研究”项目近日通过了结题验收。据报道，王国富研究员及其项目组针对非线性光学晶体材料发展前沿领域，开
记者从海关总署获悉，今年前3季度我国外贸进出口总值15708．3亿美元，比去年同期（下同）增长23．5％，增速比前8个月放慢0．5个百分点。其中，出口8782．4亿美元，增长27．1％，比前8个月放慢了0．6个百分点
利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在1～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率.
2009年，4月13日，中国大陆首条第6代TFT-LCD生产线开工仪式在合肥市举行，生产线完全由京东方自主建设。京东方第6代TFT-LCD生产线项目计划总投资175亿元，设计产能为月产90K，玻璃基
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型
日本Chemi-Con近日展出了能够在70℃及85℃高温下使用的双电层电容器（EDLC）。而在此之前，由于在高温环境下会出现性能下降，EDLC的正常使用温度一般为60℃。该公司表示，耐高温的实
采用sol-gel工艺，以钛酸铅镧（PLT）作为晶种层，在Pt／TiO2／Si基板上，制备了锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明：引入PLT晶种层的PLZT薄膜，在6
<正> 我不止一次在快餐店看到面色红润、身圆体胖的男孩儿、女孩儿,他们面前摆放着各类美食,他们大口咀嚼着、迅速吞咽着,确实感染唾腺,让人骤生食欲。 这些年来,我们的生活
2001年1月26日，印度西北部古吉拉特邦发生7．9级地震，造成重大的人员伤亡和财产损失。本刊第2期发表了《印度7．9级地震及地震工作概述》（一）一文，综述了这次地震的破坏、人员伤亡、财