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以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。微观模拟与宏观建模相结合，着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟，同时对单电子晶体管进行宏观电路等效，用一些常用元器件进行宏观建模。采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟，大大减少了计算及仿真时间。通过分析比较，两者曲线得到了较好的吻合，直观地反映了单电子晶体管的电学特性，为进一步研究复杂系统提供了理论依据。