【摘 要】
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提出了磁饱和直线变压器驱动源（LTD）泵浦半导体断路开关（SOS）产生高重复频率短脉冲的技术路线.利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯可饱和的特点,实现快速反向泵浦SOS,通过多
【机 构】
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西北核技术研究所、高功率微波技术重点实验室
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提出了磁饱和直线变压器驱动源（LTD）泵浦半导体断路开关（SOS）产生高重复频率短脉冲的技术路线.利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯可饱和的特点,实现快速反向泵浦SOS,通过多级LTD模块叠加获得高电压输出.采用射频金属氧化物场效应晶体管（RF MOSFET）作为LTD初级电路的主开关,将SOS正向泵浦电流脉冲时间降至数十ns,泵浦电流脉冲重复频率最高可达MHz.最终研制出一台基于SOS的10级磁饱和LTD型脉冲发生器,输出电压约11 kV,电流220 A,脉冲宽度约2 ns,重复频率为20kHz.
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