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评述了国内外ＳＯＩ材料技术现状及发展动向，重点介绍超薄硅层ＳＯＩ材料中进展最快的氧注入隔离和硅片直接键合基片的性能及制备工艺技术，初步探讨了发展ＳＯＩ材料所面临的问题。
绝缘物上硅材料技术现状与发展
【摘 要】
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评述了国内外ＳＯＩ材料技术现状及发展动向，重点介绍超薄硅层ＳＯＩ材料中进展最快的氧注入隔离和硅片直接键合基片的性能及制备工艺技术，初步探讨了发展ＳＯＩ材料所面临的问题。
【出 处】
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电子材料（机电部）
【发表日期】
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1995年3期
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