基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liang630223
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设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17·4dB,在32GHz具有0·5W的饱和功率输出.
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