论文部分内容阅读
介绍了基于0．35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片．该芯片采用有源像素结构，像素单元填充因数可达到43％，高于通常APS结构像素单元30％的指标．此外还设计了一种数字动态双采样技术，相对于传统的双采样技术（固定模式噪声约为0．5％），数字动态双采样技术具有更简洁的电路结构和更好抑制FPN噪声的效果．传感器芯片通过MPW计划采用Chartered0．35μm数模混合工艺实现．实验结果表明芯片工作良好，图像固定模式噪声约为0．17％．