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对基于SiGeHBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明，相同Ge组分条件下，基区渡越时间τb随WB由100nm减薄到50nm，降低了74．99／6；相同WB，Ge组分为0．15比0．1Ge组分的“减小了33．7％。该研究与其他文献的结果相吻合，可为SiGeHBT基区设计提供一定的理论指导。