通过氧化物前驱体非真空方法制各高质量CuInSe2薄膜

来源 :化学物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chengbj0310

【摘要】

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通过非真空工艺利用CuO、In2O3混合氧化物制各CuInSe2薄膜太阳能电池中的吸收层CuInSez薄膜，利用柠檬酸法制钎出粒径在100nm以下的CuO、In2O3混合氧化物纳米粉，在浆料中加入过

【作者】

：

蒋帅江国顺刘伟峰朱长飞

【机构】

：

中国科学技术大学材料科学与工程系

【出处】

：

化学物理学报

【发表日期】

：

2010年5期

【关键词】

：

薄膜 CUINSE2 非真空纳米顿粒 Thin film CulnSe2 Non-vacuum Nanoparticle

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通过非真空工艺利用CuO、In2O3混合氧化物制各CuInSe2薄膜太阳能电池中的吸收层CuInSez薄膜，利用柠檬酸法制钎出粒径在100nm以下的CuO、In2O3混合氧化物纳米粉，在浆料中加入过量的硒，用来创造非平衡的反应条仆促进氧化物的还原和硒化．考察了影响硒化的几个反应条件，最优的硒化条件为1．9kPa的Se蒸汽压中，550℃硒化60min．

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