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ZnO是一种独特的第三代半导体材料。近年来,ZnO薄膜和纳米材料以及三元ZnO基材料得到广泛研究和发展。ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,随着ZnO材料的不断发展已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。本文介绍了近年来国内外ZnO基紫外探测器的材料制备,界面控制和器件结构等关键技术的研究进展,指出制备高质量的薄膜以及进一步提高器件的性能是推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键。