论文部分内容阅读
研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质,通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式,并在Si/SiO2基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件.通过对器件性能与沟道形态的研究,我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变,从而使薄膜晶体管的迁移率从10-5 cm2·V-1·S-1量级提高到10-3 cm2·V-1·s-1量级.顶接触结构单晶器件获得了7.8x 10-2 cm2·V-1·S-1的迁移率.未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.