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为了改善碳材料的抗氧化性能,同时促进SiC涂层的工程化应用,本文采用低压CVD工艺沉积SiC涂层,研究致密SiC涂层的成型工艺.同时,对SiC涂层的沉积速率进行研究.实验结果表明:最佳的CVD沉积温度为1100℃,低温度促进SiC的定向生长,高温度使SiC产生气相沉积造成稀疏涂层.SiC涂层在石墨基体表面的沉积速率随温度的提高逐渐下降.混合气体比例(MTS∶H2∶Ar)的增加促使SiC颗粒的尺寸逐渐减小,同时涂层的致密性也随之下降.此外,涂层的沉积速率先下降再上升.为获得致密的涂层,同时也要保证沉积速率,MTS流量应选择为10 sccm.