掺氢GaAs薄膜的表面形貌及光学性质研究

来源 :云南大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：huangma2009

【摘要】

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采用射频磁控溅射和沉积气氛掺氢工艺制备了GaAs薄膜,研究掺氢对薄膜的表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射结果显示,以衬底温度为500℃制备出的GaAs薄膜呈面心立方闪锌矿结

【作者】

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朱慧群丁瑞钦吴桐庆蔡继业胡怡杨恢东丁才蓉汪河洲

【机构】

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五邑大学薄膜与纳米材料研究所,华南理工大学物理科学与技术学院,暨南大学化学系,暨南大学电子工程系,中山大学光电材料国家重点实验室

【出处】

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云南大学学报(自然科学版)

【发表日期】

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2005年S3期

【关键词】

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射频磁控溅射 GaAs薄膜气氛掺氢吸收光谱氢钝化 radio frequency magnetron sputtering GaAs thin film

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采用射频磁控溅射和沉积气氛掺氢工艺制备了GaAs薄膜,研究掺氢对薄膜的表面形貌及光学性质的影响.X射线衍射结果显示,以衬底温度为500℃制备出的GaAs薄膜呈面心立方闪锌矿结构.原子力显微镜分析表明气氛掺氢会影响到GaAs薄膜的形貌和颗粒的大小.在500℃衬底温度下溅射气氛掺氢制备出的GaAs薄膜的吸收光谱出现了明显的激子峰,表明氢钝化对薄膜的光学性质的改善起重要的辅助作用.

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