【摘 要】
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系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院硅器件与技术重点实验室,中国科学院大学微电子学院,
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系统地介绍了极端低温下SiGe HBT器件的研究进展。在器件级,分析了能带工程对SiGe HBT器件特性的影响,分析了极端低温下器件的直流、交流、噪声特性的变化,以及器件的特殊现象。在电路级,分析了基于SiGe HBT的运算放大器、低噪声放大器和电压基准源电路的低温工作特性。研究结果表明,SiGe HBT器件在低温微电子应用中具有巨大潜力。
The research progress of SiGe HBT devices at extremely low temperature is systematically introduced. At the device level, the influence of banding on the characteristics of SiGe HBT devices is analyzed. The changes of DC, AC, and noise characteristics of the device under extreme low temperature and the special phenomena of the device are analyzed. At the circuit level, the low temperature operating characteristics of SiGe HBT-based op amps, low noise amplifiers and voltage reference circuits are analyzed. The results show that SiGe HBT devices have great potential for low temperature microelectronics applications.
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