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用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅ结构。由吵感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子 为发光层的ＺｎＳｅｐｎ二极管蓝绿色电致发光。
ZnSepn二极管蓝绿色电致发光
【摘 要】
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用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅ结构。由吵感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子 为发光层的ＺｎＳｅｐｎ二极管蓝绿色电致发光。
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1997年2期
【基金项目】
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国家863光电子主题，中国科学院激发态物理开放研究实验室资助
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