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利用三维格子Boltzmann法（LBM），对化学机械抛光（CMP）的润滑过程做了数值模拟，得到了不同晶片和抛光垫转速下的压力分布，并讨论了抛光液黏度对高压涡中压力最大值的影响。数值模拟结果表明，晶片自转是产生“双涡图”的主要原因，抛光垫旋转则主要产生“单涡图”，抛光垫和晶片旋转的综合作用一起影响抛光效果，其中抛光垫的转速的改变对去除率影响较大。利用格子Boltzmann法模拟润滑问题，所得结果与求解Reynolds方程的结果一致，并具有计算效率高、几何直观等特性，能实现CMP过程的三维模型，且较容易实现