【摘 要】
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应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XR
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,上海大学材料科学与工程学院,宝山钢铁股份有限公司技术中心
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应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.结果显示,在低温退火后,合金薄膜成分均匀,结晶良好,表面致密.材料芯片上的样品在0.1mol·L-1氯化钠溶液中的极化电阻测试结果表明,对于全组分的Zn-Al合金薄膜,Al摩尔分数在87%附近的成分具有最高的极化电阻值.进一步的实验发现,在83%-86%这一较宽的摩尔分数区间内,极化电阻值均保持在105Ω·cm-2以上,比传统热镀锌镀层的极化电阻高1个数量级.
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