【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大
【机 构】
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复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室,复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室,复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室 上海 200433,上海 200433,上海 200433
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采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明:三种材料均为间接带隙半导体材料,与同类的碳化物相比,具有相对大的静态介电常数。研究结果为这类材料的应用提供了理论依据。
The electronic structure and optical properties of Si3P4, Ge3P4, Sn3P4 with pseudo-cubic structure were studied by first-principles based on density functional theory. The results show that all three materials are indirect band gap semiconductors with relatively large static permittivity compared with the same type of carbides. The results provide a theoretical basis for the application of these materials.
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