扩散硅压力变送器用敏感元件的静电封接技术

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介绍了把静电封接工艺用于Class41系列扩散硅压力敏感元件的芯片与基座间的封接。与其它封接工艺相比,降低了成本,封接强度、渗漏、电绝缘以及封接后元件性能等指标都有很大提高。图4,表6,参2。 Introduced the electrostatic sealing process for the Class41 series diffusion pressure sensitive silicon chip and the base between the seal. Compared with other sealing process, the cost, sealing strength, leakage, electrical insulation and sealing performance of components and other indicators have greatly improved. Figure 4, Table 6, reference 2.
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