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在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明，由于高温下晶格散射加剧，使表面纵向电场对载流子迁移率的影响减弱，使小尺寸MOSFET横向电场引起的载流子饱和速度下降。
宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应
【摘 要】
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在对硅材料基本物理参数的高温模型和宽温区(27～300℃）MOSFET基本特性深入研究的基础上，进一步研究了宽温区MOSFET的非常数表面迁移率效应。理论和实验研究结果表明，由于高温下晶
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年2期
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