【摘 要】
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采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜，并以该薄膜的微结构，组成，磁性能等进行了分析与测试，结果表明，在室温，pH值3～4，电流密度小于10mA/cm^2的条
【基金项目】
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国防预研基金项目(JKA5005)
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采用电镀法制备了与微电子CMOS工艺兼容的硅基CoNiMnP垂直各向异性永磁薄膜，并以该薄膜的微结构，组成，磁性能等进行了分析与测试，结果表明，在室温，pH值3～4，电流密度小于10mA/cm^2的条件下，能够获得性能良好的垂直各向异性CoNiMnP永磁薄膜，薄膜的组成（质量分数）为:Co90.32%，Ni7.83%，Mn0.74%,P1.11%，垂直薄膜方向磁性能为：Hc=59.7kA/m,Br=0.53T,(BH)max=11.3kJ/m^3，平行薄膜方向磁性能为：Hc=27.8kA/m,Br=0.4
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