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针对铷（^R7 Rb）原子钟激励光源微型化和高温工作的特殊需求，设计并制备了对应铷原子能级跃迁的795nm垂直腔面发射激光器（VCSEL）。首先，根据k·p理论计算了InAlGaAs／AlGaAs量子阱的价带能级和材料增益，得到最优的量子阱组分和厚度；然后，采用一维传输矩阵方法设计了795nrfl波段的布拉格反射器（DBR），根据完整结构VCSEL器件的驻波场分布设计了掺杂分布；最后，采用金属有机气相外延（MOVPE）技术生长了优化的795rimVCSEI．外延结构，并制备了氧化限制型非闭合台面