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讨论了ＭＣＴ的结构设计及耐压设计。通过对结构参数的最佳化选择，制造出开关电流９Ａ，耐压９００Ｖ的ＭＣＴ芯片。ｎ沟ＭＯＳ阈值电压为２Ｖ，ｐ沟ＭＯＳ阈值电压为－５Ｖ。当门极加－７Ｖ电压时，其关断电流密度为２２０Ａ／ｃｍ＾２。
MOS控制晶闸管（MCT）的设计
【摘 要】
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讨论了ＭＣＴ的结构设计及耐压设计。通过对结构参数的最佳化选择，制造出开关电流９Ａ，耐压９００Ｖ的ＭＣＴ芯片。ｎ沟ＭＯＳ阈值电压为２Ｖ，ｐ沟ＭＯＳ阈值电压为－５Ｖ。当门极加－７Ｖ电压时，其关断电流密度为２２０Ａ／ｃｍ＾２。
【机 构】
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西安电力电子技术研究所,临潼七七一所
【出 处】
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电力电子技术
【发表日期】
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1994年1期
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