【摘 要】
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在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室; 西南技术物理研究所; 光电器件部; 成都610041; 中国科学院上海技术物理研究所; 红外物
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:10474107);上海市基础研究重大项目(批准号:06dj14008)资助的课题.~~
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在液氦温度附近,运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统,对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围,在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱,指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝.对杂质谱线发生分裂的两种原因,补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等,进行了分析讨论.
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