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采用GPS烧结HIP处理两步烧结Si_3N_4基复合陶瓷材料,在GPS烧结后使试件表面气孔闭合形成自身包套,而后通过HIP处理可以明显提高烧结体的密度,可以获得抗弯强度>720MPa,断裂韧性K_(IC)>7.8MPa.m~(1/2)的高性能Si_3N_4基复合陶瓷烧结体。而GPS烧结所获得的由β-Si_3N_4晶粒组成的网状显微结构对烧结体的性能是十分有益的。