论文部分内容阅读
制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs／InGaAsP量子阱分布反馈激光器．采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料，应用应变缓冲层防止In的分凝．未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11．5mA，100mA时最大输出功率为14mW，边模抑制比为33．5dB．
1．74μm压应变InGaAs／InGaAsP量子阱分布反馈激光器
【摘 要】
：
制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs／InGaAsP量子阱分布反馈激光器．采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料，应用应变缓冲层防止In的分凝．未镀膜的腔长为300μm的器件阈
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
【出 处】
：
半导体学报
【发表日期】
：
2005年9期
【基金项目】
：
国家自然科学基金资助项目（批准号：60176023）
其他文献
在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明：Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形
针对《通信原理》课程理论教学和实验教学中存在的一些问题,从理论教学和实验教学两个方面,探讨改进教学方法,“理论联系实际”,将通信仿真软件引入到课程的教学中,教学实践
中国煤炭工业协会于2015年9月组织专家对唐山开远选煤科技有限公司完成的《干法末煤跳汰机技术及装备研究》项目进行了评审，鉴定结论为：整体技术水平为国际先进。该项目是在研
由中国煤炭加工利用协会主办、洛阳市双勇机器制造有限公司、国家低阶煤综合利用研发中心（国电）协办的“全国煤炭干燥成型技术发展与应用专题研讨会”于2014年4月15日在河南洛
伴随着新时期社会各方面的发展不断加快,人们在各个行业当中都离不开对计算机与网络的运用.进而促使信息化技术行业逐渐迎来了高速的发展机遇,这也使得整个计算机专业逐渐成
为解决传统燃煤链条排炉存在底渣含碳量高、烟气NOx排放浓度高等问题,将预燃低氮燃烧技术应用于1台20t/h燃煤链条排炉,进行节能环保改造;一个供暖季的运行试验表明,该技术可
在世界艺坛上中国戏曲独树一帜,而锡剧在中国戏曲中占据着一定的地位,其发端于古老的吴歌,主要表现形式有弹词、宣卷、山歌小调、花鼓滩簧等。在小学音乐课堂教学过程中,巧用
提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构．这个结构避免了堆叠晶体管，因此可以在低电压下工作，在LO信号的频率为1．452GHz，RF信号频率为1．45GHz的情况下，仿真结果表明：混频器
提出采用双传管逻辑设计三值电路的方法，对每个MOS管的逻辑功能均采用传输运算予以表示以实现有效综合．建立了三值双传输管电路的反演法则和对偶法则．新提出的三值双传输管逻辑
以蓝色发光材料Liq为主体，以一定的比例掺入黄光染料Rubrene，研制了新型白色有机电致发光器件.调节Rubrene的掺杂比为1.1%时得到近白光器件，色坐标为（0.308，0.347），器件的启亮电压为