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,Oxygen Scavenging Effect of LaLuO3/TiN Gate Stack in High-Mobility Si/SiGe/SOI Quantum-Well Transis
【机 构】
：
School of Mechanical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240“,”State Key Laborat
【出 处】
：
中国物理快报（英文版）
【发表日期】
：
2016年5期
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