自旋相关的电子隧穿和自旋极化

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研究了电子的自旋相关的隧穿和极化。在外加磁场的作用下,自旋向上的电子与自旋向下的电子具有不同的隧穿系数。当电子的自旋方向与磁场方向相反时,其隧穿概率受到磁场的抑制而变小;反之,当两者平行时,电子的了隧穿系数增大。这种差异可以用本文中定义的自旋极化率来表示。本文对不同磁场下的自旋极化率进行了计算,结果也表明当电子的动能较小,这种自旋极化的效应越显著。
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