针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）器件进行了抗辐照试验的研究,利用实验室环境模拟空间辐照进行了试验,采用⁶⁰Coγ射线源与测试系统开展了总剂量辐照试验研究,对SiC MOSFET器件的阈值电压与导通电阻的漂移进行了表征,得到辐照后阈值电压的漂移小于0.8 V,导通电阻的变化小于0.02?。同时采用Br、I、Au三种离子作为单粒子辐射源,研究了SiC MOSFET器件的单粒子栅穿（single event gate rupture,SEGR）和单粒子烧毁（single event burnout,SEB）机制。通过试验获得了SiC MOSFET器件抗辐照特性参数,为其在航空、航天等领域中的应用提供了技术参考。