基于低功耗约束的CMOSLNA的优化设计

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针对低功耗电路发展的趋势,在传统的共源共栅结构基础上,同时引入实现噪声优化的PCSNIM技术和提高增益的级间匹配技术,通过合理调节晶体管的尺寸实现了低功耗的指标。电路采用TSMC0.18gmCMOS工艺进行设计.模拟结果表明,在2.45GHz工作频率下,输入输出匹配良好,增益为14.274dB,噪声系数为0.669dB.1dB原缩点为-16.1dBm。IIP3为-4.858dBm,直流功耗仅2.628mW。
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