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采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收（FTIR）谱、X射线光电子能谱（XPS）和扫描电镜（SEM）对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。
电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析
【摘 要】
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采用电泳沉积法在Si（111）衬底上制备出了GaN薄膜。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收（FTIR）谱、X射线光电子能谱（XPS）和扫描电镜（SEM）对样品的结构、组分和形貌进行了分析。结果显示所
【机 构】
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山东师范大学半导体研究所
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2006年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（90301002）,国家自然科学基金重大研究计划资助项目（90201025）
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