【摘 要】
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为避免芯片因工作温度过高造成永久性损坏,以及确保芯片工作的可靠性和稳定性,设计了一种结构简单、可靠性高的新型过温保护电路。采用自偏置共源共栅结构,产生稳定的带隙基
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为避免芯片因工作温度过高造成永久性损坏,以及确保芯片工作的可靠性和稳定性,设计了一种结构简单、可靠性高的新型过温保护电路。采用自偏置共源共栅结构,产生稳定的带隙基准,并利用正反馈迟滞比较器,有效避免热振荡。热关断温度及迟滞开启温度可通过调节比较器MOS管的尺寸来灵活设置。基于格罗方德55nm CMOS工艺,通过Cadence Spectre工具,对电路进行了仿真验证。电源电压在3.3V,温度范围在-40℃~125℃时,测得带隙基准的温度系数为8.23ppm/℃,低频段电源抑制比为-68.5dB;当温度超过
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