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在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此，器件电子发射效率显著提高，在３２．５Ｖ偏压下，发射效率达１３．５％，发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２；工作电流和发射电流的波动性明显减小；器件稳定性得到提高。
多层间隔式结构多孔硅冷阴极电子发射的研究
【摘 要】
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在多孔硅（ＰＳ）表面电子发射冷阴极中采用间隔式多层结构。由此，器件电子发射效率显著提高，在３２．５Ｖ偏压下，发射效率达１３．５％，发射电流密度２９μＡ／ｃｍ＾２；工作电流和发射电流的波动性明显减小；器件稳定性得到提高
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津机电工业学校
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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2000年4期
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