F-P光纤传感器的损耗特性分析及其研制

来源 :仪表技术与传感器 | 被引量 : 0次 | 上传用户:coral623
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对反射型非本征F-P干涉型(Extrinsic Fabry-Perot Interfemmeter,EFPI)光纤传感器的损耗特性进行了分析,表明当腔长小于100μm时,随着腔的变长光能量耦合损耗迅速增加;在考虑腔损耗的情况下,分析了如何合理选择两反射面的反射率以使输出光强的对比度达到最大;通过分析在制作F-P腔的过程中影响腔长变化的原因,总结出了一个可以准确控制和调整腔长的方法;依以上规则制作了F-P光纤传感器,并进行了实验验证.
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