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利用提拉法生长了高质量Nd∶GdCOB晶体,以单片300 mW左右半导体二极管作为泵源,优化的8at%掺杂Nd∶GdCOB晶体作为激光自倍频介质,采用简单微片式结构构建激光器,实现泵浦阈值仅为40 mW、输出功率23mW的545 nm自倍频激光。该激光器长度仅1 cm,具有重量轻、便携带和结构简单、紧凑等优势。