高电容比射频／微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

来源 :微波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bee2357

【摘要】

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建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型.由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因而能较为正确地反映开关

【作者】

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龙永福赖宗声朱自强

【机构】

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华东师范大学电子系,华东师范大学电子系

【出处】

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微波学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

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电容比数值模拟 MEMS膜开关阈值电压维持电压电场强度 MEMS switch Capacitance ratio Threshold voltage

【基金项目】

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国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，上海市AM基金，上海市科技发展基金，上海市学科科研项目

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建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型.由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响,因而能较为正确地反映开关的电容特性.用数值方法计算了影响开关电容比的因素,并对计算结果进行了分析和讨论.提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm,从而使开关的电容比增加到3800.最后,讨论了实现高电容比MEMS 膜开关的可行性.

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