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根据当前集成电路设计中对基准电压源的低功耗、高电源调整率、高电源抑制比的要求,设计了一种CMOS工艺下的高精度自偏置带隙基准电压源.该电压源由自身直流通路上的电阻来实现电压自偏置,由三级共源共栅电压偏置来实现电流匹配和电压均衡,静态电流约为13μA,具有31ppm/℃的低温度系数、22.7μV/V的高电源调整率和93.7 dB的高电源抑制比.