氧化铜在γ-Al_2O_3载体表面的分布及其硫化性能

来源 :中国有色金属学报：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lanyinghit

【摘要】

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采用浸渍方法制备不同氧化铜含量的CuO/γ-Al2O3催化剂。使用XRD、SEM和程序控制升温还原（TPR）方法研究γ-Al2O3载体表面氧化铜的分布情况。用X射线定量分析方法得到氧化铜在γ

【作者】

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郁青春张世超杨斌

【机构】

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昆明理工大学冶金与能源工程学院,北京航空航天大学材料科学与工程学院

【出处】

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中国有色金属学报：英文版

【发表日期】

：

2011年12期

【关键词】

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氧化铜分散亚单层 copper oxide dispersion submonolayer

【基金项目】

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Project （Jinchuan 201114） supported by the Pre-Research Foundation of Jinchuan Group Ltd., China, Project （2011148） supported by the Analysis and Testing Foundation of Kunming University of Science an

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采用浸渍方法制备不同氧化铜含量的CuO/γ-Al2O3催化剂。使用XRD、SEM和程序控制升温还原（TPR）方法研究γ-Al2O3载体表面氧化铜的分布情况。用X射线定量分析方法得到氧化铜在γ-Al2O3中的分散阈值为0.275g/g,即0.275CuAl。当氧化铜负载量小于或大于其分散阈值时,高度分散或结晶状氧化铜将会出现在γ-Al2O3载体表面。TPR实验表明0.1CuAl和纯CuO还原温度范围分别为420-690°C和290-380°C。氧化铜与载体之间的相互作用导致0.1CuAl

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