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本文报道对用ＳｉＨ４辉光放电方法和溅射法制备的本征ａ－Ｓｉ薄膜样品，进行高真空退电导变化效应。
真空退火对非晶硅薄膜的暗电导和光电导的影响
【摘 要】
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本文报道对用ＳｉＨ４辉光放电方法和溅射法制备的本征ａ－Ｓｉ薄膜样品，进行高真空退电导变化效应。
【机 构】
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山东师范大学物理系,济南大学物理系
【出 处】
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德州师专学报
【发表日期】
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1995年4期
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