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运用自制的两种新型小分子液晶插层剂对蒙脱土进行有机化修饰，并用IR，XRD，TG及TEM等对有机蒙脱土结构和性能进行了表征与分析。结果表明：有机蒙脱土的层间距由1．00nm分别增大到2．50nm和2．88nm，且能分散均匀，排列疏松，耐热性能也有了显著提高。
新型小分子液晶有机蒙脱土的制备与表征
【摘 要】
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运用自制的两种新型小分子液晶插层剂对蒙脱土进行有机化修饰，并用IR，XRD，TG及TEM等对有机蒙脱土结构和性能进行了表征与分析。结果表明：有机蒙脱土的层间距由1．00nm分别增大到2．50
【机 构】
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安徽大学化学化工学院,上海船舶设备研究所
【出 处】
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合成化学
【发表日期】
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2006年6期
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