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设计并制作了一种重排无阻塞型的8×8SOI热光波导开关阵列。开关单元采用了MMI—MZI结构的2×2光开关。整个器件的开关时间约为2μs。器件中开关单元功耗小于240mw。消光比在17-22dB范围内变化。功耗和开关速度都明显优于SiO2基和聚合物基的开关阵列。
8×8重排无阻塞型SOI热光波导开关阵列
【摘 要】
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设计并制作了一种重排无阻塞型的8×8SOI热光波导开关阵列。开关单元采用了MMI—MZI结构的2×2光开关。整个器件的开关时间约为2μs。器件中开关单元功耗小于240mw。
【机 构】
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北京工商大学信息工程学院,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
【出 处】
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激光与红外
【发表日期】
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2009年1期
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