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采用直流反应磁控溅射方法，由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜。采用XRD、FE—SEM、Hall实验、UV—VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究。结果表明：薄膜有明显的C轴择优取向，玻璃衬底上制备的p-Zn0．9Mg0.1 O薄膜的电阻率为8．28Ω·m，空穴浓度和迁移率分别为1．09×10^19cm^-3和0．069cm^2／V·S。并且掺Mg的ZnO薄膜透射光谱表现出明显的