MLC型NAND闪存中基于MI异构的Polar码优化

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为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information, MI)异构的polar码优化方法.该方法利用对数似然比(log-likelihood ratio, LLR)分布在MLC闪存信道和AWGN(additive white Gaussian noise)信道中的差异性,以MI重新拟合LLR分布,得到在闪存信道下等效的标准方差,从而进行高密度存储系统中的polar码优化设计.随后,分析了不同的
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