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本发明公开了一种InSp红外焦平面器件减反射膜低温淀积方法及其专用金属掩模架。其方法为淀积温度1000C～105℃，Sill。流量5．8～6．2sccm，N2O流量88～95sccm，腔体压强600～610mτ，淀积时间80min。其效果使得InSb芯片的反射率在3．7～4．8μm工作波段降至8％～19％，从而使得InSb红外焦平面器件的响应率提高30％。沉积减反射膜采用专用金属掩模架，保护了硅CMOS读出电路，使其引线脚部位免于氧化硅膜的淀积。该方法满足了空空导弹制导用InSb红外焦平面器件减反射膜制备