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Canham的文章[1]发表以后,引起了世界范围的研究热潮,目的是实现硅基的集成光电子技术.其中一个主要的研究方向是多孔硅的发光机制.根据各自的实验结果提出了不同的模型:量子限制、表面态复合、硅氧烷及其衍生物、以及声子辅助跃迁等.同时开始了理论计算,方法包括:紧束缚、经验赝势、和基于局域密度泛函的第一原理方法等.大部分理论计算研究的是量子限制对多孔硅和纳米硅晶发光的效应.计算得到的辐射寿命比直接能隙GaAs中激子的长得多,说明量子限制不能完全解释多孔硅的高发光效率.提出了一个经验赝势的同质结模型来计算多孔