【摘 要】
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为了明确10 kV碳化硅(SiC) pin二极管的正向导通优势,降低器件的比导通电阻,制备了三种10 kV SiC二极管样品——肖特基结、pn结和电导增强的pn结二极管.通过在多层SiC外延层
【机 构】
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先进输电技术国家重点实验室,北京 102209;全球能源互联网研究院有限公司,北京 102209
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为了明确10 kV碳化硅(SiC) pin二极管的正向导通优势,降低器件的比导通电阻,制备了三种10 kV SiC二极管样品——肖特基结、pn结和电导增强的pn结二极管.通过在多层SiC外延层上刻蚀形成台面的方法,制备了pn结二极管.在此基础上,延长了离子注入后的高温退火处理时间,制备了电导增强的样品.对所制备二极管的正向导通特性进行了测试,并结合仿真的方法对内部载流子分布进行了对比分析.测试结果表明,所制备的SiC pn结二极管相比肖特基二极管样品,比导通电阻降低了90％.延长高温退火处理时间的工艺使器件的正向导通能力进一步改善,电流密度为100 A/cm2时的比导通电阻为7 mQ·cm2,证明了这一处理工艺的有效性.
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