【摘 要】
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难熔金属和金属硅化物已用于制作超大规模集成电路的接触和互连。硅衬底上的难熔金属的接触电阻率现已可作到低至～10-7Ω·cm2。采用难熔金属,各种VLSI工艺过程中产生的MOS氧
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难熔金属和金属硅化物已用于制作超大规模集成电路的接触和互连。硅衬底上的难熔金属的接触电阻率现已可作到低至～10-7Ω·cm2。采用难熔金属,各种VLSI工艺过程中产生的MOS氧化物陷阱就可用高温退火（≥550℃）予以消除。随着超大规模集成电路的器件继续按比例缩小,寄生电阻对于提高器件性能来说就会是一个主要限制。在MOS器件中,难熔金属硅化物可用来减小源漏电阻和栅电阻。如果栅材料采用纯的硅化物（并非多晶硅难熔金属硅化物）,还可以提高CMOS的性能。本文讨论有关使用难熔金属和金属硅化物来提高超大规模集成电路器件性能的一些最新进展。
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