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用微弧氧化方法在SiCp／2024铝基复合材料表面沉积出较厚的陶瓷膜，测定了陶瓷膜的生长曲线和相组成，提出了金属基复合材料微弧氧化膜生长模型．结果表明，微弧放电烧结作用下，膜层内SiCp增强体大部分已被熔化并氧化，只有少数残余的SiCp颗粒仍然保留在靠近界面的膜层内．SiCp增强体阻碍了微弧氧化膜的生长，但它并未破坏微弧氧化膜的完整性，这同铝基复合材料阳极氧化膜结构完全不同．