多弧离子镀沉积过程中等离子体参数对薄膜沉积的影响

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采用平面探针测试了衬底附近的电流密度,弧电流和衬底偏压的增加均有助于增加到达衬底附近的离子的数量.弧电流增加引起衬底的温升,衬底偏压对衬底温度影响较小.采用多弧离子镀技术沉积Cr-N薄膜,衬底偏压对薄膜的硬度影响较小;弧电流增大,薄膜的硬度随之降低.XRD分析表明,弧电流较高时,不利于Cr-N相的形成,薄膜中以Cr的宏观液滴为主,薄膜硬度较低.
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