韩国公司进军亚微米门阵列

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韩国三星、金星、现代和大宇公司现在都在生产1.2微米的半导体产品,只有三星公司率先对0.8微米工艺进行攻关。这个新工艺的投用将使该公司的芯片集成度提高6至7倍,结束了韩国的高集成度 ASIC 须仰仗日美的历史。三星公司新的门阵列可集成2百万个晶体管。目前的40至60MHz 的芯片只利用了可用门数(50万门)的约40%。今年底芯片的金属层数目将增至3~5层,三星公司期望能藉此提高门阵列的利用率。 South Korea’s Samsung, Venus, Hyundai and Daewoo are now producing 1.2-micron semiconductor products, and only Samsung is the first to tackle the 0.8-micron process. The new process will enable the company to increase the chip integration 6 to 7 times, ending the high integration of South Korea’s ASIC must rely on the history of Japan and the United States. Samsung’s new gate array can integrate 2 million transistors. The current 40 to 60MHz chips use only about 40% of the available gates (500,000 gates). By the end of this year, the number of chips in the metal layer will increase to 3 to 5 layers. Samsung hopes to increase the utilization of the gate array.
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