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水稻是典型的喜硅作物，通过水培试验，主要从硅和镉在水稻幼苗共质体和质外体中的分布等方面研究了硅缓解水稻幼苗Cd毒性的机制。结果表明，施硅能显著增加水稻幼苗地上部和地下部长度，明显缓解Cd对水稻幼苗生长的抑制作用；施Si可明显降低根系和茎叶中共质体、质外体中Cd含量；同时添加Si和Cd，根系中共质体与质外体中Cd含量比值成增加趋势，质外体中Cd含量远低于共质体；Cd促进了根系质外体中Si含量的富集，且根系中Si含量皆高于茎叶；根系／茎叶Cd含量比值比单加Cd处理时明显增加，至18 d时比值为单加Cd处理的1.33倍，说明Si能使更多的Cd积累在根系中，阻止其向地上部转运。